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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    100

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    125

    最（zuì）大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

    30

    通道（dào）极性：

    N沟道

    封（fēng）装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,125mΩ,30A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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