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  • 漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    480

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    600

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    7

    通道极性（xìng）：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    PDFN5*6/-55~125

    描述（shù）：

    650V,600mΩ,7A,N沟道（dào）基（jī）于超级结技术（shù）的功（gōng）率MOSFET


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