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  • 漏源(yuán)电(diàn)压BV DSS (V)(Min.):

    650

    导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    300

    导通(tōng)电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

    360

    最大漏极电流(liú)Id(on)(A):

    11

    通道极性:

    N沟(gōu)道

    封(fēng)装/温(wēn)度(℃):

    TO-263-2L/-55~125

    描述(shù):

    650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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