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产(chǎn)品中心
漏源(yuán)电(diàn)压BV DSS (V)(Min.): | 650 |
导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 300 |
导通(tōng)电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 360 |
最大漏极电流(liú)Id(on)(A): | 11 |
通道极性: | N沟(gōu)道 |
封(fēng)装/温(wēn)度(℃): | TO-263-2L/-55~125 |
描述(shù): | 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET |
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