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  • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    130

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    30

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    600V,130mΩ,30A,N沟（gōu）道基于超级结（jié）技术（shù）的功率MOSFET


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