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  • 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    290

    最（zuì）大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

    15

    通道极性（xìng）：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-252-2L/-55~125

    描述（shù）：

    650V,290mΩ,15A,N沟道基（jī）于（yú）超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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