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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    20

    通道极性：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    650V,190mΩ,20A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET



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