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  • 漏（lòu）源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最（zuì）大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    20

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封（fēng）装/温度(℃)：

    TO-220F-3/-55~125

    描述：

    600V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的（de）功率MOSFET


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