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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    130

    最（zuì）大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    30

    通道极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,130mΩ,30A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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