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  • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    120

    导（dǎo）通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    140

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    25

    通道极性：

    N沟道

    封（fēng）装/温度(℃)：

    TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

    描述：

    550V,140mΩ,25A,N沟道基于（yú）超级结技术的功率MOSFET



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