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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    70

    导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    74

    最（zuì）大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

    47

    通道极性（xìng）：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

    描述：

    650V,74mΩ,47A,N沟道基于超级结（jié）技术（shù）的功率（lǜ）MOSFET



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