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  • 漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    120

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    150

    最大（dà）漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

    24

    驱动电压（yā）(V)：

    10

    通道极（jí）性（xìng）：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3/-55~125

    描述：

    600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET



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