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产品中(zhōng)心
漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 650 |
导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 480 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 600 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 7 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温度(℃): | TO-251-3L/-55~125 |
描述: | 650V,600mΩ,7A,N沟道(dào)基于超级结技术的功率(lǜ)MOSFET |
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