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  • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    115

    导（dǎo）通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    150

    最大（dà）漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

    24

    通道（dào）极性：

    N沟道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,150mΩ,24A,N沟道基于超（chāo）级结（jié）技术的功率（lǜ）MOSFET



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