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  • 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    20

    驱动（dòng）电压(V)：

    10

    通道极性：

    N沟道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-247-3/-55~125

    描述：

    600V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET


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