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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    11

    通道（dào）极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-252-2L(DPAK)/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,360mΩ,5A,N沟道（dào）基（jī）于超级结技术的（de）功率（lǜ）MOSFET



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