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  • 漏源(yuán)电压BV DSS (V)(Min.):

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    75

    导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.):

    90

    最(zuì)大漏极(jí)电流Id(on)(A):

    40

    通道极性:

    N沟道

    封装/温度(℃):

    TO-247-3L/-55~125

    描述:

    600V,90mΩ,40A,N沟道基于(yú)超级结(jié)技(jì)术的功率MOSFET


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