乐鱼网页版登录入口-乐鱼(中国)



  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    100

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    125

    最（zuì）大（dà）漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

    30

    通道极性：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    600V,125mΩ,30A,N沟道（dào）基（jī）于超级结技（jì）术的功率（lǜ）MOSFET


    乐鱼网页版登录入口-乐鱼(中国)

    乐鱼网页版登录入口-乐鱼(中国)