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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    20

    驱（qū）动（dòng）电压(V)：

    10

    通道极（jí）性：

    N沟道（dào）

    封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    650V,190mΩ,20A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET


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