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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    280

    最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

    15

    驱动电压(V)：

    10

    通道极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

    TO-220-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,280mΩ,15A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET


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