
PRODUCT CENTER
产(chǎn)品(pǐn)中心(xīn)
漏源电(diàn)压BV DSS (V)(Min.): | 550 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 110 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 140 |
最大漏极(jí)电流Id(on)(A): | 25 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温度(℃): | TO-220F-3L/-55~125 |
描述: | 550V,140mΩ,25A,N沟(gōu)道基于超级结技术的(de)功率MOSFET |
-
产品中心
-
应用方(fāng)案
-
技(jì)术支持
-
新(xīn)闻(wén)资讯
-
关于我们

添加官方客服 快(kuài)速申请样品

关(guān)注官方(fāng)微信公众号 随时掌握(wò)最新动态
版权所有©2021 武(wǔ)汉乐鱼网页版登录入口和芯源半(bàn)导体有限(xiàn)公(gōng)司
鄂公网安(ān)备 42018502005668号(hào) | 鄂ICP备2022001247号

-
服务热线
全国咨询电话:
18002584030(微信同号(hào))
商务(wù)合作:
胡女士:13689515916(微信同号) janney@icchain.com
-
微信咨询
-
样品申(shēn)请