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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    480

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    600

    最大漏（lòu）极电（diàn）流Id(on)(A)：

    7

    通道极（jí）性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    PDFN5*6/-55~125

    描述：

    650V,600mΩ,7A,N沟道基（jī）于超（chāo）级（jí）结技术的功率MOSFET


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