乐鱼网页版登录入口-乐鱼(中国)



  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大（dà）漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    11

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-263-2L/-55~125

    描述：

    650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结（jié）技术的（de）功（gōng）率（lǜ）MOSFET


    乐鱼网页版登录入口-乐鱼(中国)

    乐鱼网页版登录入口-乐鱼(中国)