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  • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    280

    最（zuì）大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    15

    通道极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,280mΩ,15A,N沟道基（jī）于超级结技术（shù）的功率（lǜ）MOSFET


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