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  • 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    290

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    15

    通道极性：

    N沟（gōu）道

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-252-2L/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,290mΩ,15A,N沟道（dào）基于超级结（jié）技术的功率（lǜ）MOSFET


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