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  • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    20

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    PDFN8*8/-55~125

    描述：

    650V,190mΩ,20A,N沟道基于（yú）超级结技术的功率MOSFET


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