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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.):

    700

    导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    380

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

    430

    最大漏极(jí)电流Id(on)(A):

    11

    通道极(jí)性:

    N沟(gōu)道

    封装(zhuāng)/温度(℃):

    TO-252-2L(DPAK)/-55~125

    描述:

    700V,430mΩ,11A,N沟道(dào)基(jī)于(yú)超级结技术的功率(lǜ)MOSFET


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