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  • 漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    177

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最（zuì）大漏（lòu）极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

    20

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-252-2L(DPAK)/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,190mΩ,20A,N沟道基于超（chāo）级结技（jì）术（shù）的功率（lǜ）MOSFET


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