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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    120

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    150

    最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

    24

    驱动电压(V)：

    10

    通道极性：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3/-55~125

    描述（shù）：

    600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET



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