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  • 漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    65

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    70

    最（zuì）大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

    47

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET


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