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  • 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    65

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    70

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    47

    通道极性（xìng）：

    N沟道（dào）

    封（fēng）装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    650V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技（jì）术的功率（lǜ）MOSFET


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