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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    20

    驱动电压（yā）(V)：

    10

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-247-3/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,190mΩ,20A,N沟道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET


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