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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    700

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    320

    导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    400

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    15

    驱（qū）动电（diàn）压(V)：

    10

    通道极性（xìng）：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-220F-3/-55~125

    描述（shù）：

    700V,400mΩ,15A,N沟道基于超级结（jié）技术（shù）的功（gōng）率MOSFET


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