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  • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    75

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    90

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    40

    通道极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    600V,90mΩ,40A,N沟道基（jī）于超级结技（jì）术的功（gōng）率MOSFET


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