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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    140

    最（zuì）大（dà）漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    25

    通道极性：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET



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