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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    100

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    125

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    30

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    600V,125mΩ,30A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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