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  • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    83

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    99

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    40

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封（fēng）装/温度(℃)：

    TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

    描（miáo）述（shù）：

    600V，99mΩ，40A，N沟（gōu）道基于（yú）超级结（jié）技术的功率MOSFET



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